TTD35N02AV. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TTD35N02AV

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 183 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для TTD35N02AV

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TTD35N02AV даташит

 ..1. Size:689K  cn wuxi unigroup
 ttd35n02av.pdf pdf_icon

TTD35N02AV

TTD35N02AV Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 20V N-Channel Trench MOSFET(Preliminary) General Description Product Summary Trench Power technology VDS 20V Low RDS(ON) ID (at VGS =10V) 35A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS =10V)

Другие IGBT... TTP120N04AT, TTD135N68A, TTD160N03GT, TTP160N03GT, TTD18P10AT, TTP18P10AT, TTD20N04AT, TTD30P03AT, AO4407, TTD40P03AT, TTD50P04AT, TTD60N03QT, TTD65N04AT, TTD70N04AT, TTP70N04AT, TTD85N03AT, TTD90N03AT