TTD35N02AV MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: TTD35N02AV
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28.8 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 27.4 nC
trⓘ - Время нарастания: 3.2 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 183 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для TTD35N02AV
TTD35N02AV Datasheet (PDF)
..1. Size:689K cn wuxi unigroup
ttd35n02av.pdf
ttd35n02av.pdf
TTD35N02AV Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 20V N-Channel Trench MOSFET(Preliminary) General Description Product Summary Trench Power technology VDS 20V Low RDS(ON) ID (at VGS =10V) 35A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS =10V)
Другие MOSFET... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , 60N06 , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SUN830I | SUN830F | SUN830DN | SUN830D | SUN82A20CI | SUN50A20CI | SUN09A40D | SUN05A50ZF | SUN05A50ZD | SUN05A25F | SRN1865FD | SRN1860FD | SRN1860F | SRN1665FD | SRN1660FD | SRN1660F