TTD50P04AT Todos los transistores

 

TTD50P04AT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TTD50P04AT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 46 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 320 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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TTD50P04AT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:745K  cn wuxi unigroup
 ttd50p04at.pdf pdf_icon

TTD50P04AT

TTD50P04AT Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 40V P-Channel Trench MOSFET(Preliminary) General Description Product Summary Trench Power technology VDS -40V Low RDS(ON) ID (at VGS =-10V) -50A Simple driver requirement RDS(ON) (at VGS =-10V)

Otros transistores... TTD160N03GT , TTP160N03GT , TTD18P10AT , TTP18P10AT , TTD20N04AT , TTD30P03AT , TTD35N02AV , TTD40P03AT , 2SK3568 , TTD60N03QT , TTD65N04AT , TTD70N04AT , TTP70N04AT , TTD85N03AT , TTD90N03AT , TTP90N03AT , TTD90P03AT .

History: IXTT50N30

 

 
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