Справочник MOSFET. TTD50P04AT

 

TTD50P04AT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TTD50P04AT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 46 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 320 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для TTD50P04AT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TTD50P04AT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:745K  cn wuxi unigroup
 ttd50p04at.pdf pdf_icon

TTD50P04AT

TTD50P04AT Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 40V P-Channel Trench MOSFET(Preliminary) General Description Product Summary Trench Power technology VDS -40V Low RDS(ON) ID (at VGS =-10V) -50A Simple driver requirement RDS(ON) (at VGS =-10V)

Другие MOSFET... TTD160N03GT , TTP160N03GT , TTD18P10AT , TTP18P10AT , TTD20N04AT , TTD30P03AT , TTD35N02AV , TTD40P03AT , 10N65 , TTD60N03QT , TTD65N04AT , TTD70N04AT , TTP70N04AT , TTD85N03AT , TTD90N03AT , TTP90N03AT , TTD90P03AT .

History: PD5B9BA | 2P7154BC | 2SJ222

 

 
Back to Top

 


 
.