TTD50P04AT - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: TTD50P04AT
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 46 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 320 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для TTD50P04AT
TTD50P04AT Datasheet (PDF)
ttd50p04at.pdf

TTD50P04AT Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 40V P-Channel Trench MOSFET(Preliminary) General Description Product Summary Trench Power technology VDS -40V Low RDS(ON) ID (at VGS =-10V) -50A Simple driver requirement RDS(ON) (at VGS =-10V)
Другие MOSFET... TTD160N03GT , TTP160N03GT , TTD18P10AT , TTP18P10AT , TTD20N04AT , TTD30P03AT , TTD35N02AV , TTD40P03AT , 10N65 , TTD60N03QT , TTD65N04AT , TTD70N04AT , TTP70N04AT , TTD85N03AT , TTD90N03AT , TTP90N03AT , TTD90P03AT .
History: PMV65XPE
History: PMV65XPE



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
mj21193g | irf3710 pinout | irf9530 datasheet | mj21194 | oc71 transistor | 2n3440 | bc550c | 2n3904 transistor datasheet