Справочник MOSFET. TTD50P04AT

 

TTD50P04AT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TTD50P04AT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 46 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 320 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
   Тип корпуса: TO252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

TTD50P04AT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:745K  cn wuxi unigroup
 ttd50p04at.pdf pdf_icon

TTD50P04AT

TTD50P04AT Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 40V P-Channel Trench MOSFET(Preliminary) General Description Product Summary Trench Power technology VDS -40V Low RDS(ON) ID (at VGS =-10V) -50A Simple driver requirement RDS(ON) (at VGS =-10V)

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: AP9578GM | PSMN9R0-30YL | MRF1507T1 | SQD19P06-60L | YMP230N55 | AM30N06-65DA

 

 
Back to Top

 


 
.