TTD50P04AT. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TTD50P04AT

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 46 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 320 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для TTD50P04AT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TTD50P04AT даташит

 ..1. Size:745K  cn wuxi unigroup
 ttd50p04at.pdf pdf_icon

TTD50P04AT

TTD50P04AT Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 40V P-Channel Trench MOSFET(Preliminary) General Description Product Summary Trench Power technology VDS -40V Low RDS(ON) ID (at VGS =-10V) -50A Simple driver requirement RDS(ON) (at VGS =-10V)

Другие IGBT... TTD160N03GT, TTP160N03GT, TTD18P10AT, TTP18P10AT, TTD20N04AT, TTD30P03AT, TTD35N02AV, TTD40P03AT, 4N60, TTD60N03QT, TTD65N04AT, TTD70N04AT, TTP70N04AT, TTD85N03AT, TTD90N03AT, TTP90N03AT, TTD90P03AT