TTD60N03QT MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TTD60N03QT

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 46.8 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 46 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 3.6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 230 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0058 Ohm

Encapsulados: TO252

 Búsqueda de reemplazo de TTD60N03QT MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

TTD60N03QT datasheet

 ..1. Size:689K  cn wuxi unigroup
 ttd60n03qt.pdf pdf_icon

TTD60N03QT

TTD60N03QT Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 30V N-Channel Trench MOSFET(Preliminary) General Description Product Summary VDS 30V Trench Power technology ID (at VGS =10V) 60A Low Capacitance RDS(ON) (at VGS =10V)

Otros transistores... TTP160N03GT, TTD18P10AT, TTP18P10AT, TTD20N04AT, TTD30P03AT, TTD35N02AV, TTD40P03AT, TTD50P04AT, IRFP250, TTD65N04AT, TTD70N04AT, TTP70N04AT, TTD85N03AT, TTD90N03AT, TTP90N03AT, TTD90P03AT, TTG160N03AT