Справочник MOSFET. TTD60N03QT

 

TTD60N03QT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TTD60N03QT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 46.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 46 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 230 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0058 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для TTD60N03QT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TTD60N03QT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:689K  cn wuxi unigroup
 ttd60n03qt.pdf pdf_icon

TTD60N03QT

TTD60N03QT Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 30V N-Channel Trench MOSFET(Preliminary) General Description Product Summary VDS 30V Trench Power technology ID (at VGS =10V) 60A Low Capacitance RDS(ON) (at VGS =10V)

Другие MOSFET... TTP160N03GT , TTD18P10AT , TTP18P10AT , TTD20N04AT , TTD30P03AT , TTD35N02AV , TTD40P03AT , TTD50P04AT , STF13NM60N , TTD65N04AT , TTD70N04AT , TTP70N04AT , TTD85N03AT , TTD90N03AT , TTP90N03AT , TTD90P03AT , TTG160N03AT .

 

 
Back to Top

 


 
.