TTD60N03QT. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TTD60N03QT

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 46.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 46 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 230 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0058 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для TTD60N03QT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TTD60N03QT даташит

 ..1. Size:689K  cn wuxi unigroup
 ttd60n03qt.pdf pdf_icon

TTD60N03QT

TTD60N03QT Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 30V N-Channel Trench MOSFET(Preliminary) General Description Product Summary VDS 30V Trench Power technology ID (at VGS =10V) 60A Low Capacitance RDS(ON) (at VGS =10V)

Другие IGBT... TTP160N03GT, TTD18P10AT, TTP18P10AT, TTD20N04AT, TTD30P03AT, TTD35N02AV, TTD40P03AT, TTD50P04AT, IRFP250, TTD65N04AT, TTD70N04AT, TTP70N04AT, TTD85N03AT, TTD90N03AT, TTP90N03AT, TTD90P03AT, TTG160N03AT