TTD70N04AT MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TTD70N04AT

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 108 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 251 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0064 Ohm

Encapsulados: TO252

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TTD70N04AT datasheet

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TTD70N04AT

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