TTD70N04AT. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TTD70N04AT

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 108 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 251 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0064 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для TTD70N04AT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TTD70N04AT даташит

 ..1. Size:449K  cn wuxi unigroup
 ttd70n04at ttp70n04at.pdf pdf_icon

TTD70N04AT

TTD70N04AT, TTP70N04AT Wuxi Unigroup Microelectronics Company Wuxi Unigroup Microelectronics Company 40V N-Channel Trench MOSFET FEATURES Trench Power MOSFET Technology Low RDS(ON) Low Gate Charge Optimized For Fast-switching Applications APPLICATIONS Synchronous Rectification in DC/DC and AC/DC Converters Isolated DC/DC Converters in Telecom and In

Другие IGBT... TTP18P10AT, TTD20N04AT, TTD30P03AT, TTD35N02AV, TTD40P03AT, TTD50P04AT, TTD60N03QT, TTD65N04AT, 2SK3568, TTP70N04AT, TTD85N03AT, TTD90N03AT, TTP90N03AT, TTD90P03AT, TTG160N03AT, TTG160N03GT, TTG65N10A