TTD85N03AT MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TTD85N03AT

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 65 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 46 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 307 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0045 Ohm

Encapsulados: TO252

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TTD85N03AT datasheet

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TTD85N03AT

TTD85N03AT Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 30V N-Channel Trench MOSFET(Preliminary) General Description Product Summary Trench Power technology VDS 30V Low RDS(ON) ID (at VGS =10V) 85A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS =10V)

Otros transistores... TTD30P03AT, TTD35N02AV, TTD40P03AT, TTD50P04AT, TTD60N03QT, TTD65N04AT, TTD70N04AT, TTP70N04AT, 5N60, TTD90N03AT, TTP90N03AT, TTD90P03AT, TTG160N03AT, TTG160N03GT, TTG65N10A, TTG90P03ATC, TTJ12P03AT