TTD85N03AT - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: TTD85N03AT
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 65 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 46 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 307 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для TTD85N03AT
TTD85N03AT Datasheet (PDF)
ttd85n03at.pdf

TTD85N03AT Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 30V N-Channel Trench MOSFET(Preliminary) General Description Product Summary Trench Power technology VDS 30V Low RDS(ON) ID (at VGS =10V) 85A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS =10V)
Другие MOSFET... TTD30P03AT , TTD35N02AV , TTD40P03AT , TTD50P04AT , TTD60N03QT , TTD65N04AT , TTD70N04AT , TTP70N04AT , 10N65 , TTD90N03AT , TTP90N03AT , TTD90P03AT , TTG160N03AT , TTG160N03GT , TTG65N10A , TTG90P03ATC , TTJ12P03AT .
History: TTP90N03AT
History: TTP90N03AT



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SSC8P22CN2 | SSC8P22AN3 | SSC8P20AN2 | SSC8K23GN2 | SSC8K21GN3 | SSC8415GS6 | AP20P01BF | AP20N10D | AP20N06S | AP20N06D | AP20N06BD | AP20N03D | AP20N02DF | AP20N02BF | AP20H04NF | AP20H03NF
Popular searches
2n3440 | bc550c | 2n3904 transistor datasheet | p75nf75 | d880 transistor | 2sc1845 | p60nf06 | 2sa1837