TTG160N03AT Todos los transistores

 

TTG160N03AT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TTG160N03AT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 136 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 51 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 29 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1320 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0018 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6
 

 Búsqueda de reemplazo de TTG160N03AT MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

TTG160N03AT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:685K  cn wuxi unigroup
 ttg160n03at.pdf pdf_icon

TTG160N03AT

TTG160N03AT Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 30V N-Channel Trench MOSFET(Preliminary) General Description Product Summary Trench Power technology VDS 30V Low RDS(ON) ID (at VGS =10V) 160A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS =10V)

 5.1. Size:415K  cn wuxi unigroup
 ttg160n03gt.pdf pdf_icon

TTG160N03AT

TTG160N03GT Wuxi Unigroup Microelectronics Company 30V N-Channel Trench MOSFET FEATURES Trench Power MOSFET Technology Low RDS(ON) Low Gate Charge Optimized For Fast-switching Applications APPLICATIONS Synchronous Rectification in DC/DC and AC/DC Converters Isolated DC/DC Converters in Telecom and Industrial Device Marking and Package Information

Otros transistores... TTD60N03QT , TTD65N04AT , TTD70N04AT , TTP70N04AT , TTD85N03AT , TTD90N03AT , TTP90N03AT , TTD90P03AT , 75N75 , TTG160N03GT , TTG65N10A , TTG90P03ATC , TTJ12P03AT , TTK8205 , TTK8205A , TTP115N68A , TTP88N08A .

History: TTX2305A | IXTN600N04T2 | PK5C1BA | ZXMN6A25DN8 | BUK6D43-60E

 

 
Back to Top

 


 
.