TTG160N03AT. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TTG160N03AT

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 51 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 29 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1320 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0018 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6

Аналог (замена) для TTG160N03AT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TTG160N03AT даташит

 ..1. Size:685K  cn wuxi unigroup
 ttg160n03at.pdf pdf_icon

TTG160N03AT

TTG160N03AT Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 30V N-Channel Trench MOSFET(Preliminary) General Description Product Summary Trench Power technology VDS 30V Low RDS(ON) ID (at VGS =10V) 160A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS =10V)

 5.1. Size:415K  cn wuxi unigroup
 ttg160n03gt.pdf pdf_icon

TTG160N03AT

TTG160N03GT Wuxi Unigroup Microelectronics Company 30V N-Channel Trench MOSFET FEATURES Trench Power MOSFET Technology Low RDS(ON) Low Gate Charge Optimized For Fast-switching Applications APPLICATIONS Synchronous Rectification in DC/DC and AC/DC Converters Isolated DC/DC Converters in Telecom and Industrial Device Marking and Package Information

Другие IGBT... TTD60N03QT, TTD65N04AT, TTD70N04AT, TTP70N04AT, TTD85N03AT, TTD90N03AT, TTP90N03AT, TTD90P03AT, 18N50, TTG160N03GT, TTG65N10A, TTG90P03ATC, TTJ12P03AT, TTK8205, TTK8205A, TTP115N68A, TTP88N08A