Справочник MOSFET. TTG160N03AT

 

TTG160N03AT MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: TTG160N03AT
   Маркировка: 160N03AT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 51 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 177 nC
   trⓘ - Время нарастания: 29 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1320 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0018 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6

 Аналог (замена) для TTG160N03AT

 

 

TTG160N03AT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:685K  cn wuxi unigroup
 ttg160n03at.pdf

TTG160N03AT TTG160N03AT

TTG160N03AT Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 30V N-Channel Trench MOSFET(Preliminary) General Description Product Summary Trench Power technology VDS 30V Low RDS(ON) ID (at VGS =10V) 160A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS =10V)

 5.1. Size:415K  cn wuxi unigroup
 ttg160n03gt.pdf

TTG160N03AT TTG160N03AT

TTG160N03GT Wuxi Unigroup Microelectronics Company 30V N-Channel Trench MOSFET FEATURES Trench Power MOSFET Technology Low RDS(ON) Low Gate Charge Optimized For Fast-switching Applications APPLICATIONS Synchronous Rectification in DC/DC and AC/DC Converters Isolated DC/DC Converters in Telecom and Industrial Device Marking and Package Information

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top