TTG160N03GT MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TTG160N03GT

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 119 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 160 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 904 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0021 Ohm

Encapsulados: DFN5X6

 Búsqueda de reemplazo de TTG160N03GT MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

TTG160N03GT datasheet

 ..1. Size:415K  cn wuxi unigroup
 ttg160n03gt.pdf pdf_icon

TTG160N03GT

TTG160N03GT Wuxi Unigroup Microelectronics Company 30V N-Channel Trench MOSFET FEATURES Trench Power MOSFET Technology Low RDS(ON) Low Gate Charge Optimized For Fast-switching Applications APPLICATIONS Synchronous Rectification in DC/DC and AC/DC Converters Isolated DC/DC Converters in Telecom and Industrial Device Marking and Package Information

 5.1. Size:685K  cn wuxi unigroup
 ttg160n03at.pdf pdf_icon

TTG160N03GT

TTG160N03AT Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 30V N-Channel Trench MOSFET(Preliminary) General Description Product Summary Trench Power technology VDS 30V Low RDS(ON) ID (at VGS =10V) 160A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS =10V)

Otros transistores... TTD65N04AT, TTD70N04AT, TTP70N04AT, TTD85N03AT, TTD90N03AT, TTP90N03AT, TTD90P03AT, TTG160N03AT, 20N50, TTG65N10A, TTG90P03ATC, TTJ12P03AT, TTK8205, TTK8205A, TTP115N68A, TTP88N08A, TTX2301A