TTG160N03GT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: TTG160N03GT
   Código: 160N03GT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 119 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 12 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 160 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.4 V
   Carga de la puerta (Qg): 160 nC
   Tiempo de subida (tr): 25 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 904 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0021 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET TTG160N03GT

TTG160N03GT Datasheet (PDF)

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ttg160n03gt.pdf

TTG160N03GT Wuxi Unigroup Microelectronics Company 30V N-Channel Trench MOSFET FEATURES Trench Power MOSFET Technology Low RDS(ON) Low Gate Charge Optimized For Fast-switching Applications APPLICATIONS Synchronous Rectification in DC/DC and AC/DC Converters Isolated DC/DC Converters in Telecom and Industrial Device Marking and Package Information

5.1. Size:685K cn wuxi unigroup
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TTG160N03AT Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 30V N-Channel Trench MOSFET(Preliminary) General Description Product Summary Trench Power technology VDS 30V Low RDS(ON) ID (at VGS =10V) 160A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS =10V)

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Liste

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