Справочник MOSFET. TTG160N03GT

 

TTG160N03GT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TTG160N03GT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 119 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 160 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 904 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0021 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6
 

 Аналог (замена) для TTG160N03GT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TTG160N03GT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:415K  cn wuxi unigroup
 ttg160n03gt.pdf pdf_icon

TTG160N03GT

TTG160N03GT Wuxi Unigroup Microelectronics Company 30V N-Channel Trench MOSFET FEATURES Trench Power MOSFET Technology Low RDS(ON) Low Gate Charge Optimized For Fast-switching Applications APPLICATIONS Synchronous Rectification in DC/DC and AC/DC Converters Isolated DC/DC Converters in Telecom and Industrial Device Marking and Package Information

 5.1. Size:685K  cn wuxi unigroup
 ttg160n03at.pdf pdf_icon

TTG160N03GT

TTG160N03AT Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 30V N-Channel Trench MOSFET(Preliminary) General Description Product Summary Trench Power technology VDS 30V Low RDS(ON) ID (at VGS =10V) 160A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS =10V)

Другие MOSFET... TTD65N04AT , TTD70N04AT , TTP70N04AT , TTD85N03AT , TTD90N03AT , TTP90N03AT , TTD90P03AT , TTG160N03AT , 2N60 , TTG65N10A , TTG90P03ATC , TTJ12P03AT , TTK8205 , TTK8205A , TTP115N68A , TTP88N08A , TTX2301A .

History: CEP6060N | DMP3013SFV-7 | IXTQ30N60P | TPW80R200MFD

 

 
Back to Top

 


 
.