TTG65N10A Todos los transistores

 

TTG65N10A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TTG65N10A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 200 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 54 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 182 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.017 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET TTG65N10A

 

Principales características: TTG65N10A

 ..1. Size:603K  cn wuxi unigroup
 ttg65n10a.pdf pdf_icon

TTG65N10A

TTG65N10A Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 100V N-Channel Trench MOSFET(Preliminary) Product Summary General Description VDS 100V Trench Power Technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 65A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

Otros transistores... TTD70N04AT , TTP70N04AT , TTD85N03AT , TTD90N03AT , TTP90N03AT , TTD90P03AT , TTG160N03AT , TTG160N03GT , IRF520 , TTG90P03ATC , TTJ12P03AT , TTK8205 , TTK8205A , TTP115N68A , TTP88N08A , TTX2301A , TTX2302 .

 

 
Back to Top

 


 
.