TTG65N10A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TTG65N10A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 200 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 54 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 182 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.017 Ohm
Paquete / Cubierta: DFN5X6
TTG65N10A Datasheet (PDF)
ttg65n10a.pdf

TTG65N10A Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 100V N-Channel Trench MOSFET(Preliminary) Product Summary General Description VDS 100V Trench Power Technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 65A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)
Otros transistores... TTD70N04AT , TTP70N04AT , TTD85N03AT , TTD90N03AT , TTP90N03AT , TTD90P03AT , TTG160N03AT , TTG160N03GT , CS150N03A8 , TTG90P03ATC , TTJ12P03AT , TTK8205 , TTK8205A , TTP115N68A , TTP88N08A , TTX2301A , TTX2302 .



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMTN330N06A | JMTN2310A | JMTN11DN10A | JMTM8810KS | JMTM850P04A | JMTM8205B | JMTM8205A | JMTM3415KL | JMTM3406D | JMTM330N06A | JMTM300N03D | JMTM300C02D | JMTM2310A | JMTM170N04A | JMTLB3134K | JMTLB2N7002KDS
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