TTG65N10A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TTG65N10A
Código: 65N10A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 200 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 54 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 97 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 182 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.017 Ohm
Paquete / Cubierta: DFN5X6
Búsqueda de reemplazo de MOSFET TTG65N10A
TTG65N10A Datasheet (PDF)
ttg65n10a.pdf
TTG65N10A Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 100V N-Channel Trench MOSFET(Preliminary) Product Summary General Description VDS 100V Trench Power Technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 65A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Liste
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