TTG65N10A Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TTG65N10A  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 200 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 54 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 182 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.017 Ohm

Encapsulados: DFN5X6

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TTG65N10A datasheet

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TTG65N10A

TTG65N10A Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 100V N-Channel Trench MOSFET(Preliminary) Product Summary General Description VDS 100V Trench Power Technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 65A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

Otros transistores... TTD70N04AT, TTP70N04AT, TTD85N03AT, TTD90N03AT, TTP90N03AT, TTD90P03AT, TTG160N03AT, TTG160N03GT, K3569, TTG90P03ATC, TTJ12P03AT, TTK8205, TTK8205A, TTP115N68A, TTP88N08A, TTX2301A, TTX2302