TTG65N10A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: TTG65N10A  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 54 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 182 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.017 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для TTG65N10A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TTG65N10A даташит

 ..1. Size:603K  cn wuxi unigroup
 ttg65n10a.pdf pdf_icon

TTG65N10A

TTG65N10A Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 100V N-Channel Trench MOSFET(Preliminary) Product Summary General Description VDS 100V Trench Power Technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 65A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие IGBT... TTD70N04AT, TTP70N04AT, TTD85N03AT, TTD90N03AT, TTP90N03AT, TTD90P03AT, TTG160N03AT, TTG160N03GT, K3569, TTG90P03ATC, TTJ12P03AT, TTK8205, TTK8205A, TTP115N68A, TTP88N08A, TTX2301A, TTX2302