Справочник MOSFET. TTG65N10A

 

TTG65N10A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TTG65N10A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 54 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 182 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.017 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6
 

 Аналог (замена) для TTG65N10A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TTG65N10A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:603K  cn wuxi unigroup
 ttg65n10a.pdf pdf_icon

TTG65N10A

TTG65N10A Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 100V N-Channel Trench MOSFET(Preliminary) Product Summary General Description VDS 100V Trench Power Technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 65A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие MOSFET... TTD70N04AT , TTP70N04AT , TTD85N03AT , TTD90N03AT , TTP90N03AT , TTD90P03AT , TTG160N03AT , TTG160N03GT , CS150N03A8 , TTG90P03ATC , TTJ12P03AT , TTK8205 , TTK8205A , TTP115N68A , TTP88N08A , TTX2301A , TTX2302 .

 

 
Back to Top

 


 
.