TTJ12P03AT Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TTJ12P03AT  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 4 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 222 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0185 Ohm

Encapsulados: SOP8

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TTJ12P03AT datasheet

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TTJ12P03AT

TTJ12P03AT Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 30V P-Channel Trench MOSFET(Preliminary) General Description Product Summary Trench Power technology VDS -30V Low RDS(ON) ID (at VGS =-10V) -12A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS =-10V)

Otros transistores... TTD85N03AT, TTD90N03AT, TTP90N03AT, TTD90P03AT, TTG160N03AT, TTG160N03GT, TTG65N10A, TTG90P03ATC, HY1906P, TTK8205, TTK8205A, TTP115N68A, TTP88N08A, TTX2301A, TTX2302, TTX2302A, TTX2305A