TTJ12P03AT datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: TTJ12P03AT  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 222 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0185 Ohm

Тип корпуса: SOP8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для TTJ12P03AT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TTJ12P03AT даташит

 ..1. Size:825K  cn wuxi unigroup
 ttj12p03at.pdf pdf_icon

TTJ12P03AT

TTJ12P03AT Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 30V P-Channel Trench MOSFET(Preliminary) General Description Product Summary Trench Power technology VDS -30V Low RDS(ON) ID (at VGS =-10V) -12A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS =-10V)

Другие IGBT... TTD85N03AT, TTD90N03AT, TTP90N03AT, TTD90P03AT, TTG160N03AT, TTG160N03GT, TTG65N10A, TTG90P03ATC, HY1906P, TTK8205, TTK8205A, TTP115N68A, TTP88N08A, TTX2301A, TTX2302, TTX2302A, TTX2305A