TTJ12P03AT MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: TTJ12P03AT
Маркировка: 12P03AT
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 4 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 12 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 41 nC
Время нарастания (tr): 10 ns
Выходная емкость (Cd): 222 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0185 Ohm
Тип корпуса: SOP8
Аналог (замена) для TTJ12P03AT
TTJ12P03AT Datasheet (PDF)
..1. Size:825K cn wuxi unigroup
ttj12p03at.pdf
ttj12p03at.pdf
TTJ12P03AT Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 30V P-Channel Trench MOSFET(Preliminary) General Description Product Summary Trench Power technology VDS -30V Low RDS(ON) ID (at VGS =-10V) -12A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS =-10V)
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
