Справочник MOSFET. TTJ12P03AT

 

TTJ12P03AT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TTJ12P03AT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 222 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0185 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

TTJ12P03AT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:825K  cn wuxi unigroup
 ttj12p03at.pdf pdf_icon

TTJ12P03AT

TTJ12P03AT Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 30V P-Channel Trench MOSFET(Preliminary) General Description Product Summary Trench Power technology VDS -30V Low RDS(ON) ID (at VGS =-10V) -12A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS =-10V)

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: MCH3484 | DMN30H4D0L

 

 
Back to Top

 


 
.