TTJ12P03AT - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: TTJ12P03AT
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 222 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0185 Ohm
Тип корпуса: SOP8
Аналог (замена) для TTJ12P03AT
TTJ12P03AT Datasheet (PDF)
ttj12p03at.pdf
TTJ12P03AT Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 30V P-Channel Trench MOSFET(Preliminary) General Description Product Summary Trench Power technology VDS -30V Low RDS(ON) ID (at VGS =-10V) -12A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS =-10V)
Другие MOSFET... TTD85N03AT , TTD90N03AT , TTP90N03AT , TTD90P03AT , TTG160N03AT , TTG160N03GT , TTG65N10A , TTG90P03ATC , STF13NM60N , TTK8205 , TTK8205A , TTP115N68A , TTP88N08A , TTX2301A , TTX2302 , TTX2302A , TTX2305A .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP30H150K | AP30H150G | AP3065SD | AP3004S | AP3003 | AP3002S | AP2N65K | AP2716SD | AP2716QD | AP2716KD | AP2714SD | AP2714QD | AP25P30Q | AP25P06Q | AP25P06K | AP25N06Q
Popular searches
ksc1845 transistor | irf630 datasheet | mpsa13 equivalent | c5198 | 2sc1969 transistor | bcy21 | s8550 datasheet | mj50ac100


