Справочник MOSFET. TTJ12P03AT

 

TTJ12P03AT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TTJ12P03AT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 222 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0185 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для TTJ12P03AT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TTJ12P03AT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:825K  cn wuxi unigroup
 ttj12p03at.pdf pdf_icon

TTJ12P03AT

TTJ12P03AT Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 30V P-Channel Trench MOSFET(Preliminary) General Description Product Summary Trench Power technology VDS -30V Low RDS(ON) ID (at VGS =-10V) -12A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS =-10V)

Другие MOSFET... TTD85N03AT , TTD90N03AT , TTP90N03AT , TTD90P03AT , TTG160N03AT , TTG160N03GT , TTG65N10A , TTG90P03ATC , IRF2807 , TTK8205 , TTK8205A , TTP115N68A , TTP88N08A , TTX2301A , TTX2302 , TTX2302A , TTX2305A .

History: STF8NM60N | SC3018 | NCEP30T21GU | H5N2519P

 

 
Back to Top

 


 
.