TTP88N08A Todos los transistores

 

TTP88N08A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TTP88N08A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 174 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 82 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 88 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 263 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0085 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220

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Principales características: TTP88N08A

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TTP88N08A

TTP88N08A Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 82V N-Channel Trench MOSFET(Preliminary) General Description Product Summary Trench Power technology VDS 82V Low RDS(ON) ID (at VGS =10V) 88A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS =10V)

Otros transistores... TTG160N03AT , TTG160N03GT , TTG65N10A , TTG90P03ATC , TTJ12P03AT , TTK8205 , TTK8205A , TTP115N68A , P60NF06 , TTX2301A , TTX2302 , TTX2302A , TTX2305A , TTX2312A , TTX2N7002KA , TTX3401A , VBB1630 .

History: TTP115N68A

 

 
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