TTP88N08A Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TTP88N08A  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 174 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 82 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 88 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 263 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0085 Ohm

Encapsulados: TO220

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TTP88N08A datasheet

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TTP88N08A

TTP88N08A Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 82V N-Channel Trench MOSFET(Preliminary) General Description Product Summary Trench Power technology VDS 82V Low RDS(ON) ID (at VGS =10V) 88A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS =10V)

Otros transistores... TTG160N03AT, TTG160N03GT, TTG65N10A, TTG90P03ATC, TTJ12P03AT, TTK8205, TTK8205A, TTP115N68A, MMIS60R580P, TTX2301A, TTX2302, TTX2302A, TTX2305A, TTX2312A, TTX2N7002KA, TTX3401A, VBB1630