TTP88N08A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: TTP88N08A  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 174 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 82 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 88 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 263 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm

Тип корпуса: TO220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для TTP88N08A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TTP88N08A даташит

 ..1. Size:726K  cn wuxi unigroup
 ttp88n08a.pdf pdf_icon

TTP88N08A

TTP88N08A Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 82V N-Channel Trench MOSFET(Preliminary) General Description Product Summary Trench Power technology VDS 82V Low RDS(ON) ID (at VGS =10V) 88A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS =10V)

Другие IGBT... TTG160N03AT, TTG160N03GT, TTG65N10A, TTG90P03ATC, TTJ12P03AT, TTK8205, TTK8205A, TTP115N68A, MMIS60R580P, TTX2301A, TTX2302, TTX2302A, TTX2305A, TTX2312A, TTX2N7002KA, TTX3401A, VBB1630