TTX2312A Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TTX2312A  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.56 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8.2 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 119 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm

Encapsulados: SOT23

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TTX2312A datasheet

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TTX2312A

TTX2312A Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 20V N-Channel Trench MOSFET Features Product Summary Trench Power Technology VDS 20V Low RDS(ON) RDS(ON) (at VGS=10V)

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TTX2312A

TTX2305A Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 20V P-Channel Trench MOSFET(Preliminary) Product Summary General Description VDS -20V Trench Power technology ID (at VGS =-10V) -4.5A Low RDS(ON) RDS(ON) (at VGS =-10V)

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TTX2312A

TTX2302A Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 20V N-Channel Trench MOSFET(Preliminary) General Description Product Summary Trench Power technology VDS 20V Low RDS(ON) ID (at VGS =10V) 3.7A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS =10V)

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TTX2312A

TTX2301A Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 20V P-Channel Trench MOSFET(Preliminary) General Description Product Summary Trench Power technology VDS -20V Low RDS(ON) ID (at VGS =-4.5V) -2.6A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS =-10V)

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