TTX2312A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: TTX2312A  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.56 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 119 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm

Тип корпуса: SOT23

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для TTX2312A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TTX2312A даташит

 ..1. Size:542K  cn wuxi unigroup
ttx2312a.pdfpdf_icon

TTX2312A

TTX2312A Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 20V N-Channel Trench MOSFET Features Product Summary Trench Power Technology VDS 20V Low RDS(ON) RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.1. Size:712K  cn wuxi unigroup
ttx2305a.pdfpdf_icon

TTX2312A

TTX2305A Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 20V P-Channel Trench MOSFET(Preliminary) Product Summary General Description VDS -20V Trench Power technology ID (at VGS =-10V) -4.5A Low RDS(ON) RDS(ON) (at VGS =-10V)

 9.2. Size:697K  cn wuxi unigroup
ttx2302a.pdfpdf_icon

TTX2312A

TTX2302A Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 20V N-Channel Trench MOSFET(Preliminary) General Description Product Summary Trench Power technology VDS 20V Low RDS(ON) ID (at VGS =10V) 3.7A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS =10V)

 9.3. Size:728K  cn wuxi unigroup
ttx2301a.pdfpdf_icon

TTX2312A

TTX2301A Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 20V P-Channel Trench MOSFET(Preliminary) General Description Product Summary Trench Power technology VDS -20V Low RDS(ON) ID (at VGS =-4.5V) -2.6A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS =-10V)

Другие IGBT... TTK8205, TTK8205A, TTP115N68A, TTP88N08A, TTX2301A, TTX2302, TTX2302A, TTX2305A, IRL3713, TTX2N7002KA, TTX3401A, VBB1630, VBC6N2014, VBC6N2022, VBC6N3010, VBC6P3033, VBC7P2216