VBB1630 Todos los transistores

 

VBB1630 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VBB1630
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.09 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 26 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.030(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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VBB1630 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:603K  cn vbsemi
 vbb1630.pdf pdf_icon

VBB1630

VBB1630www.VBsemi.comN-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available TrenchFET Power MOSFET0.030 at VGS = 10 V 5.560 2.3 nC 100 % Rg Tested0.033 at VGS = 4.5 V 4.5 100 % UIS TestedAPPLICATIONS Battery Switch DC/DC ConverterDTO-236(SOT23)G 1

Otros transistores... TTP88N08A , TTX2301A , TTX2302 , TTX2302A , TTX2305A , TTX2312A , TTX2N7002KA , TTX3401A , STP65NF06 , VBC6N2014 , VBC6N2022 , VBC6N3010 , VBC6P3033 , VBC7P2216 , VBC8338 , VBE1101M , VBE1101N .

History: IXTK200N10P | IPD06N03LBG | IXFH15N100Q | H7N1004LS | SHD225409 | CET4301 | ME7636

 

 
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