Справочник MOSFET. VBB1630

 

VBB1630 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VBB1630
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.09 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 26 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.030(typ) Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для VBB1630

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBB1630 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:603K  cn vbsemi
 vbb1630.pdf pdf_icon

VBB1630

VBB1630www.VBsemi.comN-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available TrenchFET Power MOSFET0.030 at VGS = 10 V 5.560 2.3 nC 100 % Rg Tested0.033 at VGS = 4.5 V 4.5 100 % UIS TestedAPPLICATIONS Battery Switch DC/DC ConverterDTO-236(SOT23)G 1

Другие MOSFET... TTP88N08A , TTX2301A , TTX2302 , TTX2302A , TTX2305A , TTX2312A , TTX2N7002KA , TTX3401A , STP65NF06 , VBC6N2014 , VBC6N2022 , VBC6N3010 , VBC6P3033 , VBC7P2216 , VBC8338 , VBE1101M , VBE1101N .

History: DMP58D0SV | CEM9936A | ASDM30P11TD-R | SI7194DP | NCE01P18 | SPD04N50C3

 

 
Back to Top

 


 
.