VBB1630 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: VBB1630
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.09 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3.9 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 4.5 nC
Время нарастания (tr): 10 ns
Выходная емкость (Cd): 26 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.030(typ) Ohm
Тип корпуса: SOT23
VBB1630 Datasheet (PDF)
..1. Size:603K cn vbsemi
vbb1630.pdf
vbb1630.pdf
VBB1630www.VBsemi.comN-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available TrenchFET Power MOSFET0.030 at VGS = 10 V 5.560 2.3 nC 100 % Rg Tested0.033 at VGS = 4.5 V 4.5 100 % UIS TestedAPPLICATIONS Battery Switch DC/DC ConverterDTO-236(SOT23)G 1
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
