VBB1630 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: VBB1630  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.09 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 26 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.030 typ Ohm

Тип корпуса: SOT23

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для VBB1630

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBB1630 даташит

 ..1. Size:603K  cn vbsemi
 vbb1630.pdf pdf_icon

VBB1630

VBB1630 www.VBsemi.com N-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Available TrenchFET Power MOSFET 0.030 at VGS = 10 V 5.5 60 2.3 nC 100 % Rg Tested 0.033 at VGS = 4.5 V 4.5 100 % UIS Tested APPLICATIONS Battery Switch DC/DC Converter D TO-236 (SOT23) G 1

Другие IGBT... TTP88N08A, TTX2301A, TTX2302, TTX2302A, TTX2305A, TTX2312A, TTX2N7002KA, TTX3401A, AO4468, VBC6N2014, VBC6N2022, VBC6N3010, VBC6P3033, VBC7P2216, VBC8338, VBE1101M, VBE1101N