VBC6P3033 Todos los transistores

 

VBC6P3033 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VBC6P3033
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.83 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.036(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: TSSOP8
 

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Principales características: VBC6P3033

 ..1. Size:361K  cn vbsemi
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VBC6P3033

VBC6P3033 www.VBsemi.com Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) TrenchFET Power MOSFETs 0.036 at VGS = - 10 V - 5.2 - 30 RoHS 0.055 at VGS = - 4.5 V - 4.2 COMPLIANT APPLICATIONS Load Switch Battery Switch S1 S2 TSSOP-8 G1 G2 D1 1 D2 8 S1 2 S2 7 S1 3 S2 6 G1 4 G2 5 Top View D1 D2

Otros transistores... TTX2305A , TTX2312A , TTX2N7002KA , TTX3401A , VBB1630 , VBC6N2014 , VBC6N2022 , VBC6N3010 , IRFB7545 , VBC7P2216 , VBC8338 , VBE1101M , VBE1101N , VBE1102N , VBE1104N , VBE1105 , VBE1106N .

 

 
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