VBC6P3033 Todos los transistores

 

VBC6P3033 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VBC6P3033
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.83 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.036(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: TSSOP8
 

 Búsqueda de reemplazo de VBC6P3033 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

VBC6P3033 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:361K  cn vbsemi
 vbc6p3033.pdf pdf_icon

VBC6P3033

VBC6P3033www.VBsemi.comDual P-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ()ID (A) TrenchFET Power MOSFETs 0.036 at VGS = - 10 V - 5.2- 30RoHS0.055 at VGS = - 4.5 V - 4.2COMPLIANTAPPLICATIONS Load Switch Battery SwitchS1 S2TSSOP-8G1 G2D1 1 D28S1 2 S27S1 3 S26G1 4 G25Top ViewD1 D2

Otros transistores... TTX2305A , TTX2312A , TTX2N7002KA , TTX3401A , VBB1630 , VBC6N2014 , VBC6N2022 , VBC6N3010 , 8N60 , VBC7P2216 , VBC8338 , VBE1101M , VBE1101N , VBE1102N , VBE1104N , VBE1105 , VBE1106N .

History: NCE01P13 | ST2341SRG | SI2308A | AOD4132 | P0260EIA | IXFN140N30P | NCE0140IA

 

 
Back to Top

 


 
.