VBC6P3033 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: VBC6P3033  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.83 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.036 typ Ohm

Тип корпуса: TSSOP8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для VBC6P3033

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBC6P3033 даташит

 ..1. Size:361K  cn vbsemi
 vbc6p3033.pdf pdf_icon

VBC6P3033

VBC6P3033 www.VBsemi.com Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) TrenchFET Power MOSFETs 0.036 at VGS = - 10 V - 5.2 - 30 RoHS 0.055 at VGS = - 4.5 V - 4.2 COMPLIANT APPLICATIONS Load Switch Battery Switch S1 S2 TSSOP-8 G1 G2 D1 1 D2 8 S1 2 S2 7 S1 3 S2 6 G1 4 G2 5 Top View D1 D2

Другие IGBT... TTX2305A, TTX2312A, TTX2N7002KA, TTX3401A, VBB1630, VBC6N2014, VBC6N2022, VBC6N3010, 8N65, VBC7P2216, VBC8338, VBE1101M, VBE1101N, VBE1102N, VBE1104N, VBE1105, VBE1106N