Справочник MOSFET. VBC6P3033

 

VBC6P3033 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VBC6P3033
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.036(typ) Ohm
   Тип корпуса: TSSOP8
 

 Аналог (замена) для VBC6P3033

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBC6P3033 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:361K  cn vbsemi
 vbc6p3033.pdf pdf_icon

VBC6P3033

VBC6P3033www.VBsemi.comDual P-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ()ID (A) TrenchFET Power MOSFETs 0.036 at VGS = - 10 V - 5.2- 30RoHS0.055 at VGS = - 4.5 V - 4.2COMPLIANTAPPLICATIONS Load Switch Battery SwitchS1 S2TSSOP-8G1 G2D1 1 D28S1 2 S27S1 3 S26G1 4 G25Top ViewD1 D2

Другие MOSFET... TTX2305A , TTX2312A , TTX2N7002KA , TTX3401A , VBB1630 , VBC6N2014 , VBC6N2022 , VBC6N3010 , 8N60 , VBC7P2216 , VBC8338 , VBE1101M , VBE1101N , VBE1102N , VBE1104N , VBE1105 , VBE1106N .

History: LSDN60R950HT | HGN035N10AL | TJ10S04M3L | HY1908U | LSB60R030HT | 1N60L-TF2-T | LSC65R380GF

 

 
Back to Top

 


 
.