Справочник MOSFET. VBC6P3033

 

VBC6P3033 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: VBC6P3033
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 13 nC
   trⓘ - Время нарастания: 14 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.036(typ) Ohm
   Тип корпуса: TSSOP8

 Аналог (замена) для VBC6P3033

 

 

VBC6P3033 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:361K  cn vbsemi
 vbc6p3033.pdf

VBC6P3033 VBC6P3033

VBC6P3033www.VBsemi.comDual P-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ()ID (A) TrenchFET Power MOSFETs 0.036 at VGS = - 10 V - 5.2- 30RoHS0.055 at VGS = - 4.5 V - 4.2COMPLIANTAPPLICATIONS Load Switch Battery SwitchS1 S2TSSOP-8G1 G2D1 1 D28S1 2 S27S1 3 S26G1 4 G25Top ViewD1 D2

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: R6015KNZ

 

 
Back to Top