VBC7P2216 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: VBC7P2216  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.05 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 85 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.010 typ Ohm

Encapsulados: TSSOP8

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VBC7P2216 datasheet

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VBC7P2216

VBC7P2216 www.VBsemi.com P-Channel 20-V (G-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Pb-free TrenchFET Power MOSFETs 0.012 at VGS = - 4.5 V Available - 9.0 RoHS* 0.015 at VGS = - 2.5 V -20 - 7.8 COMPLIANT 0.020 at VGS = - 1.8 V - 6.0 S* TSSOP-8 G D D 1 8 * Source Pins 2, 3, 6 and 7 S S must be tied common. 2 7 S S 3 6

Otros transistores... TTX2312A, TTX2N7002KA, TTX3401A, VBB1630, VBC6N2014, VBC6N2022, VBC6N3010, VBC6P3033, IRF520, VBC8338, VBE1101M, VBE1101N, VBE1102N, VBE1104N, VBE1105, VBE1106N, VBE1158N