VBC7P2216 Todos los transistores

 

VBC7P2216 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VBC7P2216
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.05 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 85 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.010(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: TSSOP8
 

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VBC7P2216 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:471K  cn vbsemi
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VBC7P2216

VBC7P2216www.VBsemi.comP-Channel 20-V (G-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)Pb-free TrenchFET Power MOSFETs0.012 at VGS = - 4.5 V Available- 9.0RoHS*0.015 at VGS = - 2.5 V -20 - 7.8COMPLIANT0.020 at VGS = - 1.8 V - 6.0S*TSSOP-8 GD D 1 8 * Source Pins 2, 3, 6 and 7 S S must be tied common.2 7 S S 3 6

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