VBC7P2216 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: VBC7P2216
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.05 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 VQgⓘ - Carga de la puerta: 46 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 85 nS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.010(typ) Ohm
Paquete / Cubierta: TSSOP8
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VBC7P2216 Datasheet (PDF)
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vbc7p2216.pdf
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VBC7P2216www.VBsemi.comP-Channel 20-V (G-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)Pb-free TrenchFET Power MOSFETs0.012 at VGS = - 4.5 V Available- 9.0RoHS*0.015 at VGS = - 2.5 V -20 - 7.8COMPLIANT0.020 at VGS = - 1.8 V - 6.0S*TSSOP-8 GD D 1 8 * Source Pins 2, 3, 6 and 7 S S must be tied common.2 7 S S 3 6
Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
