VBC7P2216 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: VBC7P2216
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.05 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 85 nS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.010(typ) Ohm
Paquete / Cubierta: TSSOP8
Búsqueda de reemplazo de VBC7P2216 MOSFET
Principales características: VBC7P2216
vbc7p2216.pdf
VBC7P2216 www.VBsemi.com P-Channel 20-V (G-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Pb-free TrenchFET Power MOSFETs 0.012 at VGS = - 4.5 V Available - 9.0 RoHS* 0.015 at VGS = - 2.5 V -20 - 7.8 COMPLIANT 0.020 at VGS = - 1.8 V - 6.0 S* TSSOP-8 G D D 1 8 * Source Pins 2, 3, 6 and 7 S S must be tied common. 2 7 S S 3 6
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History: VBC6N3010 | VBC6N2022
History: VBC6N3010 | VBC6N2022
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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