VBC7P2216 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: VBC7P2216  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.05 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 85 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.010 typ Ohm

Тип корпуса: TSSOP8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для VBC7P2216

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBC7P2216 даташит

 ..1. Size:471K  cn vbsemi
 vbc7p2216.pdf pdf_icon

VBC7P2216

VBC7P2216 www.VBsemi.com P-Channel 20-V (G-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Pb-free TrenchFET Power MOSFETs 0.012 at VGS = - 4.5 V Available - 9.0 RoHS* 0.015 at VGS = - 2.5 V -20 - 7.8 COMPLIANT 0.020 at VGS = - 1.8 V - 6.0 S* TSSOP-8 G D D 1 8 * Source Pins 2, 3, 6 and 7 S S must be tied common. 2 7 S S 3 6

Другие IGBT... TTX2312A, TTX2N7002KA, TTX3401A, VBB1630, VBC6N2014, VBC6N2022, VBC6N3010, VBC6P3033, IRF520, VBC8338, VBE1101M, VBE1101N, VBE1102N, VBE1104N, VBE1105, VBE1106N, VBE1158N