VBC7P2216 - описание и поиск аналогов

 

VBC7P2216 - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: VBC7P2216
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.05 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 85 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.010(typ) Ohm
   Тип корпуса: TSSOP8
 

 Аналог (замена) для VBC7P2216

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBC7P2216 технические параметры

 ..1. Size:471K  cn vbsemi
 vbc7p2216.pdf pdf_icon

VBC7P2216

VBC7P2216 www.VBsemi.com P-Channel 20-V (G-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Pb-free TrenchFET Power MOSFETs 0.012 at VGS = - 4.5 V Available - 9.0 RoHS* 0.015 at VGS = - 2.5 V -20 - 7.8 COMPLIANT 0.020 at VGS = - 1.8 V - 6.0 S* TSSOP-8 G D D 1 8 * Source Pins 2, 3, 6 and 7 S S must be tied common. 2 7 S S 3 6

Другие MOSFET... TTX2312A , TTX2N7002KA , TTX3401A , VBB1630 , VBC6N2014 , VBC6N2022 , VBC6N3010 , VBC6P3033 , AON7403 , VBC8338 , VBE1101M , VBE1101N , VBE1102N , VBE1104N , VBE1105 , VBE1106N , VBE1158N .

 

 
Back to Top

 


 
.