VBC8338 Todos los transistores

 

VBC8338 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VBC8338
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 105 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.023(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: TSSOP8
 

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VBC8338 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:876K  cn vbsemi
 vbc8338.pdf pdf_icon

VBC8338

VBC8338www.VBsemi.comN- and P-Channel 60-V (D-S) MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 30V Lower Gate Charge RDS(ON) 22m Fast Switching Performance ID 6.2A RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -30VRDS(ON) 45mID -5.0AD1 D2G2G1S1 S2Absolute Maximum RatingsSymbol Parameter Rating Units N-channel P-channelVDS Drain-Source Voltage 30 -30 VVG

Otros transistores... TTX2N7002KA , TTX3401A , VBB1630 , VBC6N2014 , VBC6N2022 , VBC6N3010 , VBC6P3033 , VBC7P2216 , IRF9640 , VBE1101M , VBE1101N , VBE1102N , VBE1104N , VBE1105 , VBE1106N , VBE1158N , VBE1201K .

History: HGN035N10AL | STD7N80K5

 

 
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