VBC8338 - аналоги и даташиты транзистора

 

VBC8338 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: VBC8338
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023(typ) Ohm
   Тип корпуса: TSSOP8
 

 Аналог (замена) для VBC8338

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBC8338 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:876K  cn vbsemi
 vbc8338.pdf pdf_icon

VBC8338

VBC8338www.VBsemi.comN- and P-Channel 60-V (D-S) MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 30V Lower Gate Charge RDS(ON) 22m Fast Switching Performance ID 6.2A RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -30VRDS(ON) 45mID -5.0AD1 D2G2G1S1 S2Absolute Maximum RatingsSymbol Parameter Rating Units N-channel P-channelVDS Drain-Source Voltage 30 -30 VVG

Другие MOSFET... TTX2N7002KA , TTX3401A , VBB1630 , VBC6N2014 , VBC6N2022 , VBC6N3010 , VBC6P3033 , VBC7P2216 , IRF9640 , VBE1101M , VBE1101N , VBE1102N , VBE1104N , VBE1105 , VBE1106N , VBE1158N , VBE1201K .

History: 1N60G-TND-R | 13N50L-T2Q-T | DMP10H400SEQ | 19N10L-TQ2-R | VBE1105 | STD25NF10 | VBE1106N

 

 
Back to Top

 


 
.