VBC8338 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: VBC8338  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023 typ Ohm

Тип корпуса: TSSOP8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для VBC8338

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBC8338 даташит

 ..1. Size:876K  cn vbsemi
 vbc8338.pdf pdf_icon

VBC8338

VBC8338 www.VBsemi.com N- and P-Channel 60-V (D-S) MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 30V Lower Gate Charge RDS(ON) 22m Fast Switching Performance ID 6.2A RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -30V RDS(ON) 45m ID -5.0A D1 D2 G2 G1 S1 S2 Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rating Units N-channel P-channel VDS Drain-Source Voltage 30 -30 V VG

Другие IGBT... TTX2N7002KA, TTX3401A, VBB1630, VBC6N2014, VBC6N2022, VBC6N3010, VBC6P3033, VBC7P2216, SI2302, VBE1101M, VBE1101N, VBE1102N, VBE1104N, VBE1105, VBE1106N, VBE1158N, VBE1201K