VBE1806 Todos los transistores

 

VBE1806 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VBE1806
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Máxima disipación de potencia (Pd): 62.5 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 80 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 75 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 35.5 nC
   Tiempo de subida (tr): 8 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 950 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0050(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

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VBE1806 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1143K  cn vbsemi
vbe1806.pdf

VBE1806
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VBE1806www.VBsemi.comN-Channel 80 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max. ID (A) Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.0055 at VGS = 10 V 75a80 0.0088 at VGS = 6.0 V 65a 17.1 nCAPPLICATIONS0.0115 at VGS = 5.0 V 54 Primary Side Switching Synchronous RectificationTO-252D DC/AC Inverters LED Backlighti

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