VBE1806 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: VBE1806 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 62.5 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 80 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 950 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0050 typ Ohm
Encapsulados: TO252
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VBE1806 datasheet
vbe1806.pdf
VBE1806 www.VBsemi.com N-Channel 80 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) Max. ID (A) Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested 0.0055 at VGS = 10 V 75a 80 0.0088 at VGS = 6.0 V 65a 17.1 nC APPLICATIONS 0.0115 at VGS = 5.0 V 54 Primary Side Switching Synchronous Rectification TO-252 D DC/AC Inverters LED Backlighti
Otros transistores... VBE1405, VBE1410, VBE1606, VBE1615, VBE1638, VBE165R02, VBE165R04, VBE1695, IRFZ44, VBE2102M, VBFB2102M, VBE2104N, VBE2305, VBE2309, VBE2311, VBE2317, VBE2338
Parámetros del MOSFET. Cómo se afectan entre sí.
History: JMTG100P03A | AONR36321 | JMTG080P03A | SRN1860F | AOB284L | DH100P28B | SUN830F
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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