VBE1806 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: VBE1806  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 950 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0050 typ Ohm

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для VBE1806

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBE1806 даташит

 ..1. Size:1143K  cn vbsemi
 vbe1806.pdf pdf_icon

VBE1806

VBE1806 www.VBsemi.com N-Channel 80 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) Max. ID (A) Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested 0.0055 at VGS = 10 V 75a 80 0.0088 at VGS = 6.0 V 65a 17.1 nC APPLICATIONS 0.0115 at VGS = 5.0 V 54 Primary Side Switching Synchronous Rectification TO-252 D DC/AC Inverters LED Backlighti

Другие IGBT... VBE1405, VBE1410, VBE1606, VBE1615, VBE1638, VBE165R02, VBE165R04, VBE1695, IRFZ44, VBE2102M, VBFB2102M, VBE2104N, VBE2305, VBE2309, VBE2311, VBE2317, VBE2338