VBE1806 - аналоги и даташиты транзистора

 

VBE1806 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: VBE1806
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 950 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0050(typ) Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для VBE1806

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBE1806 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1143K  cn vbsemi
 vbe1806.pdf pdf_icon

VBE1806

VBE1806www.VBsemi.comN-Channel 80 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max. ID (A) Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.0055 at VGS = 10 V 75a80 0.0088 at VGS = 6.0 V 65a 17.1 nCAPPLICATIONS0.0115 at VGS = 5.0 V 54 Primary Side Switching Synchronous RectificationTO-252D DC/AC Inverters LED Backlighti

Другие MOSFET... VBE1405 , VBE1410 , VBE1606 , VBE1615 , VBE1638 , VBE165R02 , VBE165R04 , VBE1695 , 10N60 , VBE2102M , VBFB2102M , VBE2104N , VBE2305 , VBE2309 , VBE2311 , VBE2317 , VBE2338 .

History: IRF6218 | 10N60L-TA3-T | RU6055S | IPP120N10S4-05 | NCE2333Y | 10N65KL-TA3-T | 1N65L-T92-K

 

 
Back to Top

 


 
.