VBE2102M Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: VBE2102M  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 32.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 65 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.279 Ohm

Encapsulados: TO251

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VBE2102M datasheet

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VBE2102M

VBE2102M/VBFB2102M www.VBsemi.com P-Channel 100 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.250 at VGS = - 10 V - 8.8 TrenchFET Power MOSFET - 100 11.7 0.280 at VGS = - 4.5 V - 8.0 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS TO-251 P

 8.1. Size:652K  cn vbsemi
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VBE2102M

VBE2104N www.VBsemi.com P-Channel 100 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) - 100 Definition RDS(on) ( ) at VGS = - 10 V 0.033 TrenchFET Power MOSFET RDS(on) ( ) at VGS = - 4.5 V 0.036 Package with Low Thermal Resistance ID (A) - 40 100 % Rg and UIS Tested Configuration Single Compliant to RoHS Directiv

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