VBE2102M - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: VBE2102M
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 32.1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 65 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.279 Ohm
Тип корпуса: TO251
Аналог (замена) для VBE2102M
VBE2102M Datasheet (PDF)
vbe2102m vbfb2102m.pdf

VBE2102M/VBFB2102Mwww.VBsemi.comP-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () ID (A) Qg (Typ.)Definition0.250 at VGS = - 10 V - 8.8 TrenchFET Power MOSFET- 100 11.70.280 at VGS = - 4.5 V - 8.0 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONSTO-251 P
vbe2104n.pdf

VBE2104Nwww.VBsemi.com P-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) - 100DefinitionRDS(on) () at VGS = - 10 V 0.033 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = - 4.5 V 0.036 Package with Low Thermal ResistanceID (A) - 40 100 % Rg and UIS TestedConfiguration Single Compliant to RoHS Directiv
Другие MOSFET... VBE1410 , VBE1606 , VBE1615 , VBE1638 , VBE165R02 , VBE165R04 , VBE1695 , VBE1806 , IRF3710 , VBFB2102M , VBE2104N , VBE2305 , VBE2309 , VBE2311 , VBE2317 , VBE2338 , VBE2412 .
History: 5N65AF | 12N06 | S-LNTK3043PT5G | FHD150N03B | VN2406 | 19N10G-TN3-R
History: 5N65AF | 12N06 | S-LNTK3043PT5G | FHD150N03B | VN2406 | 19N10G-TN3-R



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
2n3053 transistor | 2sc458 replacement | bc557 transistor | 2n3638 | tip127 datasheet | irlz24n | irf620 | irfp350