Справочник MOSFET. VBE2102M

 

VBE2102M MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: VBE2102M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 32.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 65 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.279 Ohm
   Тип корпуса: TO251

 Аналог (замена) для VBE2102M

 

 

VBE2102M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:575K  cn vbsemi
 vbe2102m vbfb2102m.pdf

VBE2102M VBE2102M

VBE2102M/VBFB2102Mwww.VBsemi.comP-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () ID (A) Qg (Typ.)Definition0.250 at VGS = - 10 V - 8.8 TrenchFET Power MOSFET- 100 11.70.280 at VGS = - 4.5 V - 8.0 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONSTO-251 P

 8.1. Size:652K  cn vbsemi
 vbe2104n.pdf

VBE2102M VBE2102M

VBE2104Nwww.VBsemi.com P-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) - 100DefinitionRDS(on) () at VGS = - 10 V 0.033 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = - 4.5 V 0.036 Package with Low Thermal ResistanceID (A) - 40 100 % Rg and UIS TestedConfiguration Single Compliant to RoHS Directiv

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top