VBE2102M datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: VBE2102M  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 32.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 65 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.279 Ohm

Тип корпуса: TO251

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для VBE2102M

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBE2102M даташит

 ..1. Size:575K  cn vbsemi
 vbe2102m vbfb2102m.pdf pdf_icon

VBE2102M

VBE2102M/VBFB2102M www.VBsemi.com P-Channel 100 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.250 at VGS = - 10 V - 8.8 TrenchFET Power MOSFET - 100 11.7 0.280 at VGS = - 4.5 V - 8.0 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS TO-251 P

 8.1. Size:652K  cn vbsemi
 vbe2104n.pdf pdf_icon

VBE2102M

VBE2104N www.VBsemi.com P-Channel 100 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) - 100 Definition RDS(on) ( ) at VGS = - 10 V 0.033 TrenchFET Power MOSFET RDS(on) ( ) at VGS = - 4.5 V 0.036 Package with Low Thermal Resistance ID (A) - 40 100 % Rg and UIS Tested Configuration Single Compliant to RoHS Directiv

Другие IGBT... VBE1410, VBE1606, VBE1615, VBE1638, VBE165R02, VBE165R04, VBE1695, VBE1806, IRF640N, VBFB2102M, VBE2104N, VBE2305, VBE2309, VBE2311, VBE2317, VBE2338, VBE2412