VBE2309 Todos los transistores

 

VBE2309 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VBE2309
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 187 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 225 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1565 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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VBE2309 PDF Specs

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VBE2309

VBE2309 www.VBsemi.com P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)a Available 0.009 at VGS = - 10 V 80 RoHS* - 30 COMPLIANT 0.012 at VGS = - 4.5 V 80 S TO-252 G D G S D Top View P-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit G... See More ⇒

 8.1. Size:565K  cn vbsemi
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VBE2309

VBE2305 www.VBsemi.com P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)a Available 0.005 at VGS = - 10 V -100 RoHS* - 30 COMPLIANT 0.007 at VGS = - 4.5 V -90 S TO-252 G D G S D Top View P-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Gate... See More ⇒

 9.1. Size:575K  cn vbsemi
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VBE2309

VBE2338 www.VBsemi.com P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)d Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.033 at VGS = - 10 V - 26 100 % Rg Tested RoHS - 30 19 nC COMPLIANT 100 % UIS Tested 0.046 at VGS = - 4.5 V - 21 APPLICATIONS Load Switch Notebook Adaptor Switch S TO-252 G G D S D Top View P-Ch... See More ⇒

 9.2. Size:461K  cn vbsemi
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VBE2309

VBE2317 www.VBsemi.com P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)d Qg (Typ.) Definition 0.018 at VGS = - 10 V - 40 TrenchFET Power MOSFET - 30 13 nC 100 % Rg Tested 0.024 at VGS = - 4.5 V - 35 APPLICATIONS Load Switch Battery Switch S TO-252 G D G D S P-Channel MOSFET AB... See More ⇒

Otros transistores... VBE165R02 , VBE165R04 , VBE1695 , VBE1806 , VBE2102M , VBFB2102M , VBE2104N , VBE2305 , AON6414A , VBE2311 , VBE2317 , VBE2338 , VBE2412 , VBE2509 , VBE2610N , VBE2625 , VBE2658 .

 

 
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