VBE2309 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: VBE2309
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 187 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
trⓘ - Время нарастания: 225 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1565 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
Тип корпуса: TO252
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
VBE2309 Datasheet (PDF)
vbe2309.pdf

VBE2309www.VBsemi.comP-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECVDS (V) RDS(on) ()ID (A)aAvailable0.009 at VGS = - 10 V 80RoHS*- 30COMPLIANT0.012 at VGS = - 4.5 V 80STO-252GDG SDTop ViewP-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise noted)Parameter Symbol Limit UnitG
vbe2305.pdf

VBE2305www.VBsemi.comP-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECVDS (V) RDS(on) ()ID (A)aAvailable0.005 at VGS = - 10 V -100RoHS*- 30COMPLIANT0.007 at VGS = - 4.5 V -90STO-252GDG SDTop ViewP-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise noted)Parameter Symbol Limit UnitGate
vbe2338.pdf

VBE2338www.VBsemi.comP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.033 at VGS = - 10 V - 26 100 % Rg TestedRoHS- 30 19 nCCOMPLIANT 100 % UIS Tested0.046 at VGS = - 4.5 V - 21APPLICATIONS Load Switch Notebook Adaptor SwitchSTO-252GG D SDTop ViewP-Ch
vbe2317.pdf

VBE2317www.VBsemi.comP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.)Definition0.018 at VGS = - 10 V - 40 TrenchFET Power MOSFET- 30 13 nC 100 % Rg Tested0.024 at VGS = - 4.5 V - 35APPLICATIONS Load Switch Battery SwitchSTO-252 GDG D S P-Channel MOSFETAB
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
History: SFF75N08M | BSC032N03SG | NTP360N80S3Z | BF964S | 2SK1304 | VSE003N04MS-G | AOT472
History: SFF75N08M | BSC032N03SG | NTP360N80S3Z | BF964S | 2SK1304 | VSE003N04MS-G | AOT472



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
tip127 datasheet | irlz24n | irf620 | irfp350 | 13003 transistor | c458 transistor | 2sc1775 | 2n1305