VBE2309 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: VBE2309
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 187 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 80 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 160 nC
Время нарастания (tr): 225 ns
Выходная емкость (Cd): 1565 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.009 Ohm
Тип корпуса: TO252
VBE2309 Datasheet (PDF)
vbe2309.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
VBE2309www.VBsemi.comP-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECVDS (V) RDS(on) ()ID (A)aAvailable0.009 at VGS = - 10 V 80RoHS*- 30COMPLIANT0.012 at VGS = - 4.5 V 80STO-252GDG SDTop ViewP-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise noted)Parameter Symbol Limit UnitG
vbe2305.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
VBE2305www.VBsemi.comP-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECVDS (V) RDS(on) ()ID (A)aAvailable0.005 at VGS = - 10 V -100RoHS*- 30COMPLIANT0.007 at VGS = - 4.5 V -90STO-252GDG SDTop ViewP-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise noted)Parameter Symbol Limit UnitGate
vbe2338.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
VBE2338www.VBsemi.comP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.033 at VGS = - 10 V - 26 100 % Rg TestedRoHS- 30 19 nCCOMPLIANT 100 % UIS Tested0.046 at VGS = - 4.5 V - 21APPLICATIONS Load Switch Notebook Adaptor SwitchSTO-252GG D SDTop ViewP-Ch
vbe2317.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
VBE2317www.VBsemi.comP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.)Definition0.018 at VGS = - 10 V - 40 TrenchFET Power MOSFET- 30 13 nC 100 % Rg Tested0.024 at VGS = - 4.5 V - 35APPLICATIONS Load Switch Battery SwitchSTO-252 GDG D S P-Channel MOSFETAB
vbe2311.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
VBE2311www.VBsemi.comP-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECVDS (V) RDS(on) ()ID (A)aAvailable0.011 at VGS = - 10 V 50RoHS*- 30COMPLIANT0.013 at VGS = - 4.5 V 45STO-252GDG SDTop ViewP-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise noted)Parameter Symbol Limit UnitGat
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
![VBE2309](https://alltransistors.com/images/us.png)
![VBE2309](https://alltransistors.com/images/es.png)
![VBE2309](https://alltransistors.com/images/ru.png)
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BSS123K2 | BRU26N50 | BRU24N50 | BRI7N65 | BRI7N60 | BRI740 | BRI65R380C | BRI5N65 | BRI50N06 | BRI4N70 | BRI2N70 | BRGN250N65YK | BRFL8N65 | BRFL7N65S | BRFL70R360C | BRFL65R380C