VBE3310 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: VBE3310
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 32 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 171 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 520 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET VBE3310

VBE3310 Datasheet (PDF)

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vbe3310.pdf

VBE3310www.VBsemi.comDual N-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU0.009 at VGS = 10 V 3230 81 nC0.015 at VGS = 4.5 V 28APPLICATIONS OR-ing ServerTO-252 DC/DCD-PAKD1/D2 G1 G1S1 S1 N -channel N -ch

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Liste

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