VBE3310 - описание и поиск аналогов

 

VBE3310 - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: VBE3310
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 32 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 520 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009(typ) Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для VBE3310

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBE3310 технические параметры

 ..1. Size:694K  cn vbsemi
 vbe3310.pdf pdf_icon

VBE3310

VBE3310 www.VBsemi.com Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU 0.009 at VGS = 10 V 32 30 81 nC 0.015 at VGS = 4.5 V 28 APPLICATIONS OR-ing Server TO-252 DC/DC D-PAK D1/D2 G1 G1 S1 S1 N -channel N -ch

Другие MOSFET... VBE2311 , VBE2317 , VBE2338 , VBE2412 , VBE2509 , VBE2610N , VBE2625 , VBE2658 , AON7408 , VBE5415 , VBE5638 , VBF2355 , VBFB1101M , VBFB1102M , VBFB1104N , VBFB1203M , VBFB1208N .

 

 
Back to Top

 


 
.