Справочник MOSFET. VBE3310

 

VBE3310 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: VBE3310
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 32 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 171 nC
   trⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 520 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009(typ) Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для VBE3310

 

 

VBE3310 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:694K  cn vbsemi
 vbe3310.pdf

VBE3310 VBE3310

VBE3310www.VBsemi.comDual N-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU0.009 at VGS = 10 V 3230 81 nC0.015 at VGS = 4.5 V 28APPLICATIONS OR-ing ServerTO-252 DC/DCD-PAKD1/D2 G1 G1S1 S1 N -channel N -ch

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top