VBE3310 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: VBE3310  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 32 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 520 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 typ Ohm

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для VBE3310

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBE3310 даташит

 ..1. Size:694K  cn vbsemi
 vbe3310.pdf pdf_icon

VBE3310

VBE3310 www.VBsemi.com Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU 0.009 at VGS = 10 V 32 30 81 nC 0.015 at VGS = 4.5 V 28 APPLICATIONS OR-ing Server TO-252 DC/DC D-PAK D1/D2 G1 G1 S1 S1 N -channel N -ch

Другие IGBT... VBE2311, VBE2317, VBE2338, VBE2412, VBE2509, VBE2610N, VBE2625, VBE2658, 2N7000, VBE5415, VBE5638, VBF2355, VBFB1101M, VBFB1102M, VBFB1104N, VBFB1203M, VBFB1208N