VBE5415 Todos los transistores

 

VBE5415 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VBE5415
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 108 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 282 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.017 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252-4L
 

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VBE5415 PDF Specs

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VBE5415

VBE5415 www.VBsemi.com N- and P-Channel 40 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET N-CHANNEL P-CHANNEL d 100 % Rg and UIS Tested VDS (V) 40 - 40 RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.014 0.014 RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.016 0.016 APPLICATIONS ID (A) 50 - 50 CCFL Inverter Configuration N- and P-Pair TO-252-4L D-PAK D1/D2 D1/D2 Top V... See More ⇒

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