Справочник MOSFET. VBE5415

 

VBE5415 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VBE5415
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 108 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 282 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.017 Ohm
   Тип корпуса: TO252-4L
 

 Аналог (замена) для VBE5415

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBE5415 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1018K  cn vbsemi
 vbe5415.pdf pdf_icon

VBE5415

VBE5415www.VBsemi.com N- and P-Channel 40 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETN-CHANNEL P-CHANNELd 100 % Rg and UIS TestedVDS (V) 40 - 40RDS(on) () at VGS = 10 V 0.014 0.014RDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.016 0.016APPLICATIONSID (A) 50 - 50 CCFL InverterConfiguration N- and P-PairTO-252-4L D-PAK D1/D2 D1/D2 Top V

Другие MOSFET... VBE2317 , VBE2338 , VBE2412 , VBE2509 , VBE2610N , VBE2625 , VBE2658 , VBE3310 , IRFP260 , VBE5638 , VBF2355 , VBFB1101M , VBFB1102M , VBFB1104N , VBFB1203M , VBFB1208N , VBFB1303 .

History: IXFT16N80P

 

 
Back to Top

 


 
.