Справочник MOSFET. VBE5415

 

VBE5415 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VBE5415
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 108 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 282 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.017 Ohm
   Тип корпуса: TO252-4L
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

VBE5415 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1018K  cn vbsemi
 vbe5415.pdf pdf_icon

VBE5415

VBE5415www.VBsemi.com N- and P-Channel 40 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETN-CHANNEL P-CHANNELd 100 % Rg and UIS TestedVDS (V) 40 - 40RDS(on) () at VGS = 10 V 0.014 0.014RDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.016 0.016APPLICATIONSID (A) 50 - 50 CCFL InverterConfiguration N- and P-PairTO-252-4L D-PAK D1/D2 D1/D2 Top V

Другие MOSFET... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , IRFZ48N , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .

History: DMN3052LSS | FHF630A

 

 
Back to Top

 


 
.