VBE5638 Todos los transistores

 

VBE5638 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VBE5638
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 84 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

 Búsqueda de reemplazo de VBE5638 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

VBE5638 PDF Specs

 ..1. Size:972K  cn vbsemi
 vbe5638.pdf pdf_icon

VBE5638

VBE5638 www.VBsemi.com N- and P-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Available 0.030 at VGS = 10 V 35 TrenchFET Power MOSFET N-Channel 60 6 nC 0.033 at VGS = 4.5 V 30 100 % Rg and UIS Tested 0.050 at VGS = - 10 V - 19 APPLICATIONS P-Channel - 60 8 nC 0.060 at VGS = -... See More ⇒

Otros transistores... VBE2338 , VBE2412 , VBE2509 , VBE2610N , VBE2625 , VBE2658 , VBE3310 , VBE5415 , STP75NF75 , VBF2355 , VBFB1101M , VBFB1102M , VBFB1104N , VBFB1203M , VBFB1208N , VBFB1303 , VBFB1311 .

 

 
Back to Top

 


 
.