Справочник MOSFET. VBE5638

 

VBE5638 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VBE5638
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 84 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03(typ) Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для VBE5638

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBE5638 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:972K  cn vbsemi
 vbe5638.pdf pdf_icon

VBE5638

VBE5638www.VBsemi.comN- and P-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.030 at VGS = 10 V 35 TrenchFET Power MOSFETN-Channel 60 6 nC0.033 at VGS = 4.5 V 30 100 % Rg and UIS Tested0.050 at VGS = - 10 V - 19APPLICATIONSP-Channel - 60 8 nC0.060 at VGS = -

Другие MOSFET... VBE2338 , VBE2412 , VBE2509 , VBE2610N , VBE2625 , VBE2658 , VBE3310 , VBE5415 , 12N60 , VBF2355 , VBFB1101M , VBFB1102M , VBFB1104N , VBFB1203M , VBFB1208N , VBFB1303 , VBFB1311 .

History: 2SK3082 | STF30NM50N | 2SK1982-01MR | IXFP5N50P3

 

 
Back to Top

 


 
.