VBF2355 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: VBF2355
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 20 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 20 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
   Carga de la puerta (Qg): 27 nC
   Tiempo de subida (tr): 12 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 205 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.056(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251

Búsqueda de reemplazo de MOSFET VBF2355

VBF2355 Datasheet (PDF)

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vbf2355.pdf

VBF2355www.VBsemi.comP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.056at VGS = - 10 V - 20 100 % Rg TestedRoHS- 30 19 nCCOMPLIANT 100 % UIS Tested0.072 at VGS = - 4.5 V - 15APPLICATIONS Load SwitchTO-251 Notebook Adaptor SwitchSGDrain Connected toDrain

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Liste

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