VBF2355 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: VBF2355
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 205 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.056(typ) Ohm
Paquete / Cubierta: TO251
Búsqueda de reemplazo de VBF2355 MOSFET
VBF2355 PDF Specs
vbf2355.pdf
VBF2355 www.VBsemi.com P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)d Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.056at VGS = - 10 V - 20 100 % Rg Tested RoHS - 30 19 nC COMPLIANT 100 % UIS Tested 0.072 at VGS = - 4.5 V - 15 APPLICATIONS Load Switch TO-251 Notebook Adaptor Switch S G Drain Connected to Drain... See More ⇒
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History: STD13NM60ND
History: STD13NM60ND
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