VBF2355 Todos los transistores

 

VBF2355 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VBF2355
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 205 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.056(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251
 

 Búsqueda de reemplazo de VBF2355 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

VBF2355 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:921K  cn vbsemi
 vbf2355.pdf pdf_icon

VBF2355

VBF2355www.VBsemi.comP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.056at VGS = - 10 V - 20 100 % Rg TestedRoHS- 30 19 nCCOMPLIANT 100 % UIS Tested0.072 at VGS = - 4.5 V - 15APPLICATIONS Load SwitchTO-251 Notebook Adaptor SwitchSGDrain Connected toDrain

Otros transistores... VBE2412 , VBE2509 , VBE2610N , VBE2625 , VBE2658 , VBE3310 , VBE5415 , VBE5638 , K4145 , VBFB1101M , VBFB1102M , VBFB1104N , VBFB1203M , VBFB1208N , VBFB1303 , VBFB1311 , VBFB1405 .

History: PHD9NQ20T | LNC06R230 | FHU2N60A

 

 
Back to Top

 


 
.