VBF2355 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: VBF2355  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 205 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.056 typ Ohm

Тип корпуса: TO251

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для VBF2355

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBF2355 даташит

 ..1. Size:921K  cn vbsemi
 vbf2355.pdf pdf_icon

VBF2355

VBF2355 www.VBsemi.com P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)d Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.056at VGS = - 10 V - 20 100 % Rg Tested RoHS - 30 19 nC COMPLIANT 100 % UIS Tested 0.072 at VGS = - 4.5 V - 15 APPLICATIONS Load Switch TO-251 Notebook Adaptor Switch S G Drain Connected to Drain

Другие IGBT... VBE2412, VBE2509, VBE2610N, VBE2625, VBE2658, VBE3310, VBE5415, VBE5638, IRF9540N, VBFB1101M, VBFB1102M, VBFB1104N, VBFB1203M, VBFB1208N, VBFB1303, VBFB1311, VBFB1405