VBF2355 - аналоги и даташиты транзистора

 

VBF2355 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: VBF2355
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 205 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.056(typ) Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для VBF2355

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBF2355 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:921K  cn vbsemi
 vbf2355.pdf pdf_icon

VBF2355

VBF2355www.VBsemi.comP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.056at VGS = - 10 V - 20 100 % Rg TestedRoHS- 30 19 nCCOMPLIANT 100 % UIS Tested0.072 at VGS = - 4.5 V - 15APPLICATIONS Load SwitchTO-251 Notebook Adaptor SwitchSGDrain Connected toDrain

Другие MOSFET... VBE2412 , VBE2509 , VBE2610N , VBE2625 , VBE2658 , VBE3310 , VBE5415 , VBE5638 , K3569 , VBFB1101M , VBFB1102M , VBFB1104N , VBFB1203M , VBFB1208N , VBFB1303 , VBFB1311 , VBFB1405 .

History: VBFB1102M

 

 
Back to Top

 


 
.