VBI1101M Todos los transistores

 

VBI1101M MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VBI1101M
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 68 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 67 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.102(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT89
 

 Búsqueda de reemplazo de VBI1101M MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

VBI1101M PDF Specs

 ..1. Size:460K  cn vbsemi
 vbi1101m.pdf pdf_icon

VBI1101M

VBI1101M www.VBsemi.com N-Channel 100 V (D-S) MOSFET FEATURES MOSFET PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) Typ. ID (A)a Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested 0.102 at VGS = 10 V 4.2 0.120 at VGS = 6 V 100 3.8 2.9 nC 0.125 at VGS = 4.5 V 3.6 APPLICATIONS DC/DC Converters / Boost Converters Load Switch LED Backlighting in LCD TVs D ... See More ⇒

Otros transistores... VBFB1615 , VBFB1630 , VBFB165R02 , VBFB165R04 , VBFB2317 , VBFB2412 , VBFB2610N , VBFB2658 , IRF530 , VBI1322 , VBI1638 , VBI1695 , VBI2338 , VBI2658 , VBJ1101M , VBJ1201K , VBJ1322 .

History: NCE65TF360 | GT1003A | DHD035N04

 

 
Back to Top

 


 
.