VBI1101M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: VBI1101M
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 5.2 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 68 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 67 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.102(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT89

Búsqueda de reemplazo de MOSFET VBI1101M

VBI1101M Datasheet (PDF)

..1. Size:460K cn vbsemi
vbi1101m.pdf

VBI1101Mwww.VBsemi.comN-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESMOSFET PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Typ.ID (A)a Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.102 at VGS = 10 V 4.20.120 at VGS = 6 V 100 3.8 2.9 nC0.125 at VGS = 4.5 V 3.6APPLICATIONS DC/DC Converters / Boost Converters Load Switch LED Backlighting in LCD TVsD

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History: LNG045R055 | CS20N60W | IRF150B | CEU93A3

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: