VBI1101M datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: VBI1101M  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 68 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 67 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.102 typ Ohm

Тип корпуса: SOT89

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для VBI1101M

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBI1101M даташит

 ..1. Size:460K  cn vbsemi
 vbi1101m.pdf pdf_icon

VBI1101M

VBI1101M www.VBsemi.com N-Channel 100 V (D-S) MOSFET FEATURES MOSFET PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) Typ. ID (A)a Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested 0.102 at VGS = 10 V 4.2 0.120 at VGS = 6 V 100 3.8 2.9 nC 0.125 at VGS = 4.5 V 3.6 APPLICATIONS DC/DC Converters / Boost Converters Load Switch LED Backlighting in LCD TVs D

Другие IGBT... VBFB1615, VBFB1630, VBFB165R02, VBFB165R04, VBFB2317, VBFB2412, VBFB2610N, VBFB2658, 12N60, VBI1322, VBI1638, VBI1695, VBI2338, VBI2658, VBJ1101M, VBJ1201K, VBJ1322