VBI1101M - аналоги и даташиты транзистора

 

VBI1101M - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: VBI1101M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 68 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 67 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.102(typ) Ohm
   Тип корпуса: SOT89
 

 Аналог (замена) для VBI1101M

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBI1101M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:460K  cn vbsemi
 vbi1101m.pdf pdf_icon

VBI1101M

VBI1101Mwww.VBsemi.comN-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESMOSFET PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Typ.ID (A)a Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.102 at VGS = 10 V 4.20.120 at VGS = 6 V 100 3.8 2.9 nC0.125 at VGS = 4.5 V 3.6APPLICATIONS DC/DC Converters / Boost Converters Load Switch LED Backlighting in LCD TVsD

Другие MOSFET... VBFB1615 , VBFB1630 , VBFB165R02 , VBFB165R04 , VBFB2317 , VBFB2412 , VBFB2610N , VBFB2658 , STP80NF70 , VBI1322 , VBI1638 , VBI1695 , VBI2338 , VBI2658 , VBJ1101M , VBJ1201K , VBJ1322 .

 

 
Back to Top

 


 
.