VBI1322 Todos los transistores

 

VBI1322 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VBI1322
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 220 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.033 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT89
 

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VBI1322 PDF Specs

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VBI1322

VBI1322 www.VBsemi.com N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.022 at VGS = 4.5 V 6.8 RoHS 30 10 nC COMPLIANT APPLICATIONS 0.027 at VGS = 2.5 V 6.0 Load Switches for Portable Devices D D G S G D S N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C, unless otherwise ... See More ⇒

Otros transistores... VBFB1630 , VBFB165R02 , VBFB165R04 , VBFB2317 , VBFB2412 , VBFB2610N , VBFB2658 , VBI1101M , CS150N03A8 , VBI1638 , VBI1695 , VBI2338 , VBI2658 , VBJ1101M , VBJ1201K , VBJ1322 , VBJ1638 .

History: BSC026N02KSG

 

 
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