VBI1322 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: VBI1322  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 220 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.033 Ohm

Тип корпуса: SOT89

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для VBI1322

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBI1322 даташит

 ..1. Size:441K  cn vbsemi
 vbi1322.pdf pdf_icon

VBI1322

VBI1322 www.VBsemi.com N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.022 at VGS = 4.5 V 6.8 RoHS 30 10 nC COMPLIANT APPLICATIONS 0.027 at VGS = 2.5 V 6.0 Load Switches for Portable Devices D D G S G D S N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C, unless otherwise

Другие IGBT... VBFB1630, VBFB165R02, VBFB165R04, VBFB2317, VBFB2412, VBFB2610N, VBFB2658, VBI1101M, 4435, VBI1638, VBI1695, VBI2338, VBI2658, VBJ1101M, VBJ1201K, VBJ1322, VBJ1638