Справочник MOSFET. VBI1322

 

VBI1322 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VBI1322
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 220 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.033 Ohm
   Тип корпуса: SOT89
 

 Аналог (замена) для VBI1322

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBI1322 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:441K  cn vbsemi
 vbi1322.pdf pdf_icon

VBI1322

VBI1322www.VBsemi.com N-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.022 at VGS = 4.5 V 6.8RoHS30 10 nC COMPLIANTAPPLICATIONS0.027 at VGS = 2.5 V 6.0 Load Switches for Portable DevicesDDGSG D SN-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C, unless otherwise

Другие MOSFET... VBFB1630 , VBFB165R02 , VBFB165R04 , VBFB2317 , VBFB2412 , VBFB2610N , VBFB2658 , VBI1101M , IRLB4132 , VBI1638 , VBI1695 , VBI2338 , VBI2658 , VBJ1101M , VBJ1201K , VBJ1322 , VBJ1638 .

History: SUM52N20-39P | RJK2017DPP | 2SK4143-S17-AY | RJK0332DPB | 2SK4198FS | CWDM3011P | IRFY320C

 

 
Back to Top

 


 
.