VBI1695 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: VBI1695  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.076 typ Ohm

Encapsulados: SOT89

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VBI1695 datasheet

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VBI1695

VBI1695 www.VBsemi.com N-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.076 at VGS = 4.5 V 7.1 RoHS 29 nC COMPLIANT 60 APPLICATIONS 0.088 at VGS = 10 V 6.7 Load Switches for Portable Devices D D G S G D S N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C, unless otherwise

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VBI1695

VBI1638 www.VBsemi.com N-Channel 6 0-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.030 at VGS = 10 V 8.0 TrenchFET Power MOSFETs 60 0.036 at VGS = 4.5 V 6.5 175 C Maximum Junction Temperature Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC D D G S G D S N-Channel MOSFET ABSOLUTE MA

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