VBI1695 Todos los transistores

 

VBI1695 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VBI1695
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.076(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT89
     - Selección de transistores por parámetros

 

VBI1695 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:438K  cn vbsemi
 vbi1695.pdf pdf_icon

VBI1695

VBI1695www.VBsemi.com N-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.076 at VGS = 4.5 V 7.1RoHS29 nC COMPLIANT60APPLICATIONS0.088 at VGS = 10 V 6.7 Load Switches for Portable DevicesDDGSG D SN-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C, unless otherwise

 9.1. Size:625K  cn vbsemi
 vbi1638.pdf pdf_icon

VBI1695

VBI1638www.VBsemi.comN-Channel 6 0-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.030 at VGS = 10 V 8.0 TrenchFET Power MOSFETs600.036 at VGS = 4.5 V 6.5 175 C Maximum Junction Temperature Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECDDGSG D S N-Channel MOSFET ABSOLUTE MA

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History: R8002ANX | SMK0765F | IRFHM8228 | AFC1016 | AOD66406 | 2N6904 | BSC026N08NS5

 

 
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