VBI1695 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: VBI1695  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.076 typ Ohm

Тип корпуса: SOT89

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для VBI1695

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBI1695 даташит

 ..1. Size:438K  cn vbsemi
 vbi1695.pdf pdf_icon

VBI1695

VBI1695 www.VBsemi.com N-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.076 at VGS = 4.5 V 7.1 RoHS 29 nC COMPLIANT 60 APPLICATIONS 0.088 at VGS = 10 V 6.7 Load Switches for Portable Devices D D G S G D S N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C, unless otherwise

 9.1. Size:625K  cn vbsemi
 vbi1638.pdf pdf_icon

VBI1695

VBI1638 www.VBsemi.com N-Channel 6 0-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.030 at VGS = 10 V 8.0 TrenchFET Power MOSFETs 60 0.036 at VGS = 4.5 V 6.5 175 C Maximum Junction Temperature Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC D D G S G D S N-Channel MOSFET ABSOLUTE MA

Другие IGBT... VBFB165R04, VBFB2317, VBFB2412, VBFB2610N, VBFB2658, VBI1101M, VBI1322, VBI1638, AO4407A, VBI2338, VBI2658, VBJ1101M, VBJ1201K, VBJ1322, VBJ1638, VBJ1695, VBJ2102M