VBI2338 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: VBI2338  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.050 typ Ohm

Encapsulados: SOT89

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VBI2338 datasheet

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VBI2338

VBI2338 www.VBsemi.com P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)d Qg (Typ.) Definition 0.050 at VGS = - 10 V - 7.6 TrenchFET Power MOSFET - 30 13 nC 100 % Rg Tested 0.056 at VGS = - 4.5 V - 6.0 APPLICATIONS Load Switch Battery Switch D S G G D S D P-Channel MOSFET ABS

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